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陶瓷化合物靶材

ITO靶材(氧化銦錫靶材)

產(chǎn)品簡述:

ITO 靶材 ITO靶材以磁控濺射等方式用于導(dǎo)電玻璃的制備. ITO鍍膜具有導(dǎo)電性、對可見光的透明性以及對紅外線的反射性三個特性,其廣泛用于顯示屏、玻璃幕墻、觸摸屏、太陽能電池、雷

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產(chǎn)品詳細(xì)

ITO 靶材

ITO靶材以磁控濺射等方式用于導(dǎo)電玻璃的制備. ITO鍍膜具有導(dǎo)電性、對可見光的透明性以及對紅外線的反射性三個特性,其廣泛用于顯示屏、玻璃幕墻、觸摸屏、太陽能電池、雷達(dá)屏蔽、冰柜、防霧玻璃等產(chǎn)品,尤以顯示屏為大宗。
ITO 旋轉(zhuǎn)靶材和ITO 平面靶材我們均可提供。
我們的ITO旋轉(zhuǎn)靶材已通過G8.5的認(rèn)證,以無壓燒結(jié)法制作的ITO靶材具有高密度、高焊合率以及大尺寸的特性。
純度: ≥99.995%
雜質(zhì)元素含量: Si ≤5; Fe ≤3; Ca ≤3; Na ≤3; Cu ≤2; Cd ≤1。
產(chǎn)品優(yōu)勢:
三十道生產(chǎn)工藝;
獨立檢測體系;
密度偏差<0.10%;
相對密度:≥99.8%;
理論密度高達(dá):7.156。
 
ITO靶材技術(shù)指標(biāo)

specifications of ITO target

性能 標(biāo)準(zhǔn)值
化學(xué)成分(wt%) In2O3:SnO2=90:10
單塊平面靶材最大規(guī)格(mm) 1200×400×(6.0~10)
單塊旋轉(zhuǎn)靶材最大規(guī)格(mm) Ф135×Ф153×450
相對密度 ≥99.8%
理論密度 7.156g/cm3
體積電阻率 1.35×10-4Ω·cm
抗彎強度 ≥150Mpan
純度 ≥99.995%
失氧率 ≤0.5%
 
ITO靶材穩(wěn)定性測試
THK 退火前ITO膜厚465±10Å,退火后400±10Å
THK Unif 8%以內(nèi),膜厚相對穩(wěn)定
Rs 退火前Rs均值在200±20Ω/sq,滿足實驗線Spec(Spec:AVE>120/sq)
退火后Rs均值在60±10Ω/sq,單點最大值<100Ω/sq,滿足實驗線Spec(Spec:Ave<70Ω/sq,Max<120Ω/sq)
CD loss 刻蝕后CD loss在-0.3µm~0.3µm之間波動,刻蝕穩(wěn)定性良好
退火后Tr 退火后在各波段Tr:450nm>87.5%,550nm>93%,610nm>94.8%(Spec:450nm>85%,550nm>87%,660nm>87%)
Particle增量 成膜Particle增量隨著Mask壽命的增加,有上升趨勢,更換Mask后有明顯改善。各次測量值均<150EA
靶材表面狀況 靶材表面無開裂、結(jié)瘤現(xiàn)象,靶材表面整體穩(wěn)定性良好
 
 
 
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