ITO 靶材
ITO靶材以磁控濺射等方式用于導(dǎo)電玻璃的制備. ITO鍍膜具有導(dǎo)電性、對可見光的透明性以及對紅外線的反射性三個特性,其廣泛用于顯示屏、玻璃幕墻、觸摸屏、太陽能電池、雷達(dá)屏蔽、冰柜、防霧玻璃等產(chǎn)品,尤以顯示屏為大宗。
ITO 旋轉(zhuǎn)靶材和ITO 平面靶材我們均可提供。
我們的ITO旋轉(zhuǎn)靶材已通過G8.5的認(rèn)證,以無壓燒結(jié)法制作的ITO靶材具有高密度、高焊合率以及大尺寸的特性。
純度: ≥99.995%
雜質(zhì)元素含量: Si ≤5; Fe ≤3; Ca ≤3; Na ≤3; Cu ≤2; Cd ≤1。
產(chǎn)品優(yōu)勢:
三十道生產(chǎn)工藝;
獨立檢測體系;
密度偏差<0.10%;
相對密度:≥99.8%;
理論密度高達(dá):7.156。
ITO靶材技術(shù)指標(biāo)
specifications of ITO target
性能 |
標(biāo)準(zhǔn)值 |
化學(xué)成分(wt%) |
In2O3:SnO2=90:10 |
單塊平面靶材最大規(guī)格(mm) |
1200×400×(6.0~10) |
單塊旋轉(zhuǎn)靶材最大規(guī)格(mm) |
Ф135×Ф153×450 |
相對密度 |
≥99.8% |
理論密度 |
7.156g/cm3 |
體積電阻率 |
1.35×10-4Ω·cm |
抗彎強度 |
≥150Mpan |
純度 |
≥99.995% |
失氧率 |
≤0.5% |
ITO靶材穩(wěn)定性測試
THK |
退火前ITO膜厚465±10Å,退火后400±10Å |
THK Unif 8%以內(nèi),膜厚相對穩(wěn)定 |
Rs |
退火前Rs均值在200±20Ω/sq,滿足實驗線Spec(Spec:AVE>120/sq) |
退火后Rs均值在60±10Ω/sq,單點最大值<100Ω/sq,滿足實驗線Spec(Spec:Ave<70Ω/sq,Max<120Ω/sq) |
CD loss |
刻蝕后CD loss在-0.3µm~0.3µm之間波動,刻蝕穩(wěn)定性良好 |
退火后Tr |
退火后在各波段Tr:450nm>87.5%,550nm>93%,610nm>94.8%(Spec:450nm>85%,550nm>87%,660nm>87%) |
Particle增量 |
成膜Particle增量隨著Mask壽命的增加,有上升趨勢,更換Mask后有明顯改善。各次測量值均<150EA |
靶材表面狀況 |
靶材表面無開裂、結(jié)瘤現(xiàn)象,靶材表面整體穩(wěn)定性良好 |