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　　摻鈮鈦酸鍶與鈦酸鍶單晶具有相似的結(jié)構(gòu)，但摻鈮鈦酸鍶Nb:SrTiO3具有導(dǎo)電性。
　　摻鈮鈦酸鍶與鈦酸鍶單晶具有相似的結(jié)構(gòu)，但NSTO具有導(dǎo)電性。目前我們可以提供摻鈮濃度為：0.05％，0.1％，0.5％ 和0.7％的Nb:SrTiO3，

摻鈮鈦酸鍶晶體基片主要性能參數(shù)

Nb:SrTiO3 級(jí)別	A	B	C	D
Nb 濃度(wt%)	1.0	0.7	0.5	0.1
電阻率 ohm-cm	0.0035	0.0070	0.05	0.08
遷移率 cm2/vs	9.0	8.5	8.5	6.5
特點(diǎn)	Nb:SrTiO3與SrTiO3單晶具有相似的結(jié)構(gòu)，但NSTO具有導(dǎo)電性。電阻率范圍在0.1~0.001wt%之間不同。傳導(dǎo)的單晶基片為薄膜和器件提供了電極。
尺寸	10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，
	Ф15,Ф20，Ф1″，
厚度	0.5mm，1.0mm
拋光	單面或雙面
晶向	＜100＞  ＜110＞  ＜111＞
晶面定向精度:	±0.5°
邊緣定向精度:	2°（特殊要求可達(dá)1°以內(nèi)）
斜切晶片	可按特定需求，加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜（傾斜角1°－45°）的晶片
Ra:	≤5Å（5µm×5µm）
包裝	100級(jí)潔凈袋，1000級(jí)超凈室