生長方法
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提拉法
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晶體結(jié)構(gòu)
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三方
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晶格常數(shù)
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a=b=5.148Å c=13.863 Å
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熔點(diǎn)(℃)
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1250
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居里溫度
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1140℃
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密度(g/cm3)
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4.64
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硬度
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5(mohs)
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光譜透過波長
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0.4-2.9um
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折射率
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no=2.286 ne=2.203 (632.8nm)
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非線性系數(shù)
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d22 = 2.1 d31 = - 4.5 d33 = -0.27 (pmv-1)
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電光系數(shù)
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γ13=8.6,γ22=3.4,γ33=30.8,γ51=28.0,(pmv-1)
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光學(xué)損壞閾
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250 MW/cm2 @ 1064 nm, t ~ 10nsec.
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光譜透過范圍 透過率
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370~5000nm >68% (632.8nm)
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熱膨脹系數(shù)
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a11=15.4×10-6/k,a33=7.5×10-6/k
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吸收損耗
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@ 1064 nm < 0.1 %/cm
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產(chǎn)品規(guī)格
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尺寸
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任何等于或小于Ø4″
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表面質(zhì)量
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10/5
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尺寸公差
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Z軸: ±0.3mm
X軸、Y軸:±0.1mm |
平 面 度
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v8 (632.8nm)
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倒 角
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小于0.5mm,45 º±5 º
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鍍 膜
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R<0.2%(1064nm)
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晶向精度
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Z軸: 5′
X、Y軸:<10′ |
波前畸變
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<N4(633nm)
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平 行 度
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<10′
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消 光 比
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>400:1(633nm)φ6mm光束
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包裝
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100級(jí)潔凈袋,1000級(jí)超凈室
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LiTaO3單晶具有非常好的電光、壓電和焦熱電性能,大量使用于焦熱電器件和彩色電視。
材料純度
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>99.995%
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晶體結(jié)構(gòu)
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斜六面體
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晶格常數(shù)
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a=5.154Å c=13.783 Å
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熔點(diǎn)(℃)
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1650
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居里溫度
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610℃
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密度
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7.45(g/cm3)
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硬度
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5.5~6(mohs)
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顏色
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無色
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折射率
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no=2.176 ne=2.180 (633nm)
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透過范圍
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0.4~5.0mm
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電阻系數(shù)
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1015wm
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界電常數(shù)
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es11/eo:39~43 es33/eo:42~43
et11/eo:51~54 et33/eo:43~46 |
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熱膨脹系數(shù)
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aa=1.61×10-6/k,ac=4.1×10-6/k
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標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品
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名稱
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產(chǎn)品
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方向
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標(biāo)準(zhǔn)尺寸
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LTB
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晶體棒
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X、Y、Z±1º
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Ø2″×50mm
Ø3″×50mm |
LTW
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外延拋光片
雙拋 Ra<10Å
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X、Y、Z或Y旋轉(zhuǎn)帶或不帶定位邊
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10×10×0.5mm
Ø2″×0.5mm Ø3″×0.5mm Ø3″×1.0mm |
包裝
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100級(jí)潔凈袋,1000級(jí)超凈室
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生長方法 | 水熱法 |
晶體結(jié)構(gòu) | 六方 |
晶格常數(shù) | a=4.914Å c=5.405 Å |
熔點(diǎn)(℃) | 1610℃(相轉(zhuǎn)變點(diǎn):573.1℃) |
密度 | 2.684g/cm3 |
硬度 | 7(mohs) |
熱熔 | 0.18cal/gm |
熱導(dǎo)率 | 0.0033cal/cm℃ |
熱電常數(shù) | 1200uv/℃(300℃) |
折射率 | 1.544 |
熱膨脹系數(shù) | α11:13.71×106/ ℃ α33:7.48×106 /℃ |
Q值 | 1.8×106 min |
聲速、聲表級(jí) | 3160(m/sec) |
頻率常數(shù) | 1661(kHz/mm) |
壓電偶合 | K2(%) BAW: 0.65 SAW: 0.14 |
晶向 |
Y、X或Z切,在30º~42.75 º ±5分范圍內(nèi)旋轉(zhuǎn)任意值 主定位邊:根據(jù)客戶要求定方向±30分 次定位邊:根據(jù)客戶要求定方向 籽 晶:位于中心,寬度<5mm,高度>66mm |
拋光面 |
外延拋光:單拋或雙拋Ra<10Å 工作區(qū)域:基片直徑-3mm 彎 曲 度:Φ3″<20um,Φ4″<30um 工作區(qū)域無崩邊,在邊緣,崩邊寬度<0.5mm 坑和劃痕:每片<3,每100片<20 |
標(biāo)準(zhǔn)厚度 | 0.5mm±0.05mm TTV<5um |
標(biāo)準(zhǔn)直徑 |
Φ2″(50.8mm)、Φ3″(76.2mm)、Φ4″(100mm)±0.2mm 主定位邊:22±1.5mm (Φ3″) 32±3.0 (Φ4″) 次定位邊:10mm±1.5mm |
晶體結(jié)構(gòu)
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四方
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生長方法
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浮區(qū)法,熔點(diǎn):1850℃
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晶格常數(shù)
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a=4.5936Å c=2.9582 Å
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密度
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4.26(g/cm3)
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硬度
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7(mohs)
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熱容
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0.17(25℃)
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常規(guī)晶向
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<100>;<110>;<001>
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折射率no
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no=2.47 ne=2.73 at λ=1.3um
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熱光系數(shù)
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dη/dT:a:-0.72×106/k c:-0.42×10-6/k
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線膨脹系數(shù)
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a:7.14×106 c:9.19×106
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晶棒
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Φ25mm
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尺寸
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5×5×0.5mm、5×10×0.5mm、10×10×0.5mm
可按照客戶需求,定制特殊方向和尺寸的基片
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光學(xué)或拋光成品
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尺寸公差:±0.05mm,晶向公差:±0.1 º
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拋光
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單面或雙面
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包裝
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100級(jí)潔凈袋,1000級(jí)超凈室
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密度(g/cm3) | 6 |
熔點(diǎn) (℃) | 733 |
莫氏硬度 (Mohs) | 4 |
顏色 | 透明/無色 |
透明波段(mm) | 0.33-5.0 |
透光率@632.8nm | >70% |
折射率 @632.8nm | ne =2.411 no= 2.258 |
熱導(dǎo)系數(shù)(mW/cm·℃) | 30 |
聲速(km/sec) |
0.617 for shear wave along <110> 4.26 for longitudinal wave along <001> |
聲光品質(zhì)因素(10-18 sec3/g) |
1200 for shear mode along <110> 34.5for longitudinal mode along <001> |
晶體結(jié)構(gòu)
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四方Tetragona(4m): 13°C < T <132°C a=3.99 ,c=4.04,(at 26°C)
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密度
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6.02(g/cm3)
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熔點(diǎn)
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1612℃
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生長方法
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TSSG (Top Seeded Solution Growth) 頂部籽晶法
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介電常數(shù)
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ea=3700 ec=135(自由狀態(tài))
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ea=2400 ec=60 (加持狀態(tài))
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折射率
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515nm
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633nm
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800nm
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no
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2.4912
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2.4160
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2.3681
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no
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2.4247
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2.3630
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2.3235
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透過波長范圍
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0.43-6.30mm
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光電系數(shù)
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r1T3=8±2pm/V rT33=105±10pm/V rT42=1300±100pm/V
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自泵浦相位共軛反射率
(0度切)
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50 - 70 % for l = 515nm(Ce: BaTiO3)
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40 - 60 % (PureBaTiO3) for l = 515nm
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50 - 80 % for l = 633nm(Ce: BaTiO3)
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40 - 60 % for l = 633nm (PureBaTiO3)
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二波混頻耦合系數(shù)
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10-40 cm-1
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吸收損失
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l: 515nm
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633nm
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800nm
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a: 0.285cm-1
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0.108cm-1
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0.033cm-1
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晶向
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<100>、<001>、<110>、<111>±0.5º
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尺寸(mm)
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10×10×1/0.5mm、10×5×1/0.5mm、5×5×1/0.5mm
可按照客戶需求,定制特殊方向和尺寸的襯底
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拋光
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單面或雙面
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表面粗糙度
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Surface roughness(Ra):<=10 A
可提供原子粒顯微鏡(AFM)檢測報(bào)告 |
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包裝
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100級(jí)潔凈袋,1000級(jí)超凈室
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