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高溫超導(dǎo)薄膜基片

氧化鎂(MgO)單晶基片

產(chǎn)品簡(jiǎn)述:

氧化鎂(MgO)單晶基片廣泛應(yīng)用在多個(gè)薄膜技術(shù)領(lǐng)域中。如用于制作磁學(xué)薄膜、半導(dǎo)體薄膜、光學(xué)薄膜和高溫超導(dǎo)薄膜等。由于MgO單晶在微波波段的介電常數(shù)和損耗都很小,且能得到大面積的基片(直徑2"及更大),所以是當(dāng)前產(chǎn)業(yè)化的重要高溫超導(dǎo)薄膜單晶基片之一。 可用于制作移動(dòng)通訊設(shè)備所需的高溫超導(dǎo)微波濾波器等器件。具有很大的現(xiàn)實(shí)及潛在應(yīng)用市場(chǎng)。

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產(chǎn)品詳細(xì)
  氧化鎂(MgO)單晶基片廣泛應(yīng)用在多個(gè)薄膜技術(shù)領(lǐng)域中。如用于制作磁學(xué)薄膜、半導(dǎo)體薄膜、光學(xué)薄膜和高溫超導(dǎo)薄膜等。由于MgO單晶在微波波段的介電常數(shù)和損耗都很小,且能得到大面積的基片(直徑2"及更大),所以是當(dāng)前產(chǎn)業(yè)化的重要高溫超導(dǎo)薄膜單晶基片之一。 可用于制作移動(dòng)通訊設(shè)備所需的高溫超導(dǎo)微波濾波器等器件。具有很大的現(xiàn)實(shí)及潛在應(yīng)用市場(chǎng)。

氧化鎂(MgO)單晶基片主要性能參數(shù)

生長(zhǎng)方法
弧熔法
晶體結(jié)構(gòu)
立方
晶格常數(shù)
a=4.130 Å 
熔點(diǎn)(℃)
2800
純度
99.95%
密度(g/cm3)
3.58
硬度
5.5(mohs)
熱膨脹系數(shù)(/℃)
11.2x10-6
晶體解理面
<100>
光學(xué)透過(guò)
>90%(200~400nm),>98%(500~1000nm)
介電常數(shù)
ε= 9.65
熱導(dǎo)率(卡/度 厘米 秒)
0.14  300°K
尺寸
10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20,
dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm
厚度
0.5mm,1.0mm
拋光
單面或雙面
晶向
<001>±0.5º
晶面定向精度:
±0.5°
邊緣定向精度:
2°(特殊要求可達(dá)1°以內(nèi))
斜切晶片
可按特定需求,加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜(傾斜角1°-45°)的晶片
Ra:
≤5Å(5µm×5µm)
主要特點(diǎn)
 由于MgO單晶在微波波段的介電常數(shù)和損耗都很小,且能得到大面積的基片(直徑2英吋及更大),所以是當(dāng)前產(chǎn)業(yè)化的重要高溫超導(dǎo)薄膜單晶基片之一。
主要用途
用于制作磁學(xué)薄膜、半導(dǎo)體薄膜、光學(xué)薄膜和高溫超導(dǎo)薄膜等,也可用于制作移動(dòng)通訊設(shè)備所需的高溫超導(dǎo)微波濾波器等器件。
包裝
100級(jí)潔凈袋,1000級(jí)超凈室
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