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半導(dǎo)體薄膜基片

磷化銦(InP)單晶基片

產(chǎn)品簡述:

磷化銦(InP)單晶基片材料作為最重要的化合物半導(dǎo)體材料之一,是生產(chǎn)光通訊中InP基激光二極管(LD),發(fā)光二極管(LED)和光探測器等的關(guān)鍵材料,這些器件實(shí)現(xiàn)了光纖通信中信息的發(fā)射、傳播、放大、接受等功能。InP也非常適用于高頻器件,如高電子遷移率晶體管(HEMT)和異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)等方面由于其本身具有的優(yōu)越特性,使其在光纖通信、微波、毫米波、抗輻射太陽能電池、異質(zhì)結(jié)晶體管等許多高技術(shù)領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用. InP單晶材料的主要生長方法,包括傳統(tǒng)液封直拉技術(shù)(LEC)、改進(jìn)的LEC技術(shù)、氣壓控制直拉技術(shù)(VCZ/PC-LEC)/垂直梯度凝固技術(shù)(VGF)/垂直布里奇曼技術(shù)(VB)等。

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產(chǎn)品詳細(xì)
  磷化銦(InP)單晶基片材料作為最重要的化合物半導(dǎo)體材料之一,是生產(chǎn)光通訊中InP基激光二極管(LD),發(fā)光二極管(LED)和光探測器等的關(guān)鍵材料,這些器件實(shí)現(xiàn)了光纖通信中信息的發(fā)射、傳播、放大、接受等功能。InP也非常適用于高頻器件,如高電子遷移率晶體管(HEMT)和異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)等方面由于其本身具有的優(yōu)越特性,使其在光纖通信、微波、毫米波、抗輻射太陽能電池、異質(zhì)結(jié)晶體管等許多高技術(shù)領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用. InP單晶材料的主要生長方法,包括傳統(tǒng)液封直拉技術(shù)(LEC)、改進(jìn)的LEC技術(shù)、氣壓控制直拉技術(shù)(VCZ/PC-LEC)/垂直梯度凝固技術(shù)(VGF)/垂直布里奇曼技術(shù)(VB)等。
晶體:InP
結(jié)構(gòu):立方,a=5.869 A
晶向:<100>
熔點(diǎn):1600oC
密度:4.79 g/cm3
禁帶寬度:1.344

磷化銦(InP)單晶基片主要性能參數(shù)

單晶
摻雜
導(dǎo)電
類型
載流子濃度
cm-3
遷移率(cm2/V.s)
位錯(cuò)密度(cm-2)
標(biāo)準(zhǔn)基片
InP
本征
  
     N
(0.4-2)*1016
(3.5-4)*103
    5*104
Φ2×0.35mm
Φ3×0.35mm
InP
S
N
(0.8-3)*1018
(4-6)*1018
(2.0-2.4*103
(1.3-1.6*103
    3*104
2*103
Φ2×0.35mm
Φ3×0.35mm
InP
Zn
P
(0.6-2)*1018
70-90
 
2*104
 
Φ2×0.35mm
Φ3×0.35mm
InP
Fe
N
  107-108
    ³2000
    3*104
Φ2×0.35mm
Φ3×0.35mm
尺寸(mm)
Dia50.8x0.35mm,10×10×0.35mm、10×5×0.35mm可按照客戶需求,定制特殊方向和尺寸的襯底
表面粗糙度
Surface roughness(Ra):<=5A
可提供原子粒顯微鏡(AFM)檢測報(bào)告
拋光
單面或雙面
包裝
100級(jí)潔凈袋,1000級(jí)超凈室
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