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半導(dǎo)體薄膜基片

鍺(Ge)基片

產(chǎn)品簡(jiǎn)述:

鍺(Ge)基片用途:制作半導(dǎo)體器件,紅外光學(xué)器件,及太陽能電池襯底等材料。

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產(chǎn)品詳細(xì)
  鍺(Ge)基片用途:制作半導(dǎo)體器件,紅外光學(xué)器件,及太陽能電池襯底等材料。

鍺(Ge) 基片主要性能參數(shù)

生長(zhǎng)方法
提拉法
晶體結(jié)構(gòu)
立方
晶格常數(shù)
a=5.65754 Å       
密 度
5.323g/cm3
熔點(diǎn)
937.4℃
摻雜物質(zhì)
不摻雜
摻Sb
摻In或Ga
類型
/
N
P
電阻率
>35Ωcm
0.05Ωcm
0.05~0.1Ωcm
EPD
<4×103∕cm2
<4×103∕cm2
<4×103∕cm2
尺寸
10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20,
dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm
厚度
0.5mm,1.0mm
拋光
單面或雙面
晶向
<100>、<110>、<111>、±0.5º
晶面定向精度:
±0.5°
邊緣定向精度:
2°(特殊要求可達(dá)1°以內(nèi))
斜切晶片
可按特定需求,加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜(傾斜角1°-45°)的晶片
Ra:
≤5Å(5µm×5µm)
包裝
100級(jí)潔凈袋,1000級(jí)超凈室
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