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半導(dǎo)體薄膜基片

硅(Si)基片

產(chǎn)品簡述:

硅(Si)基片用途:用作半導(dǎo)體材料,大功率晶體管,整流器,太陽能電池等。

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產(chǎn)品詳細
  硅(Si)基片用途:用作半導(dǎo)體材料,大功率晶體管,整流器,太陽能電池等。

硅(Si)基片主要性能參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu) 面心立方
熔點(℃) 1420
密度 2.4(g/cm3)
摻雜物質(zhì) 不參雜 摻B 摻P
類 型  N或P P N
電 阻 率 >1000Ωcm 10-3~40Ωcm 102~104Ωcm
E P D ≤100∕cm2 ≤100∕cm2 ≤100∕cm2
氧含量(∕cm3) ≤1~1.8×1018 ≤1~1.8×1018 ≤1~1.8×1018
碳含量(∕cm3) ≤5×1016 ≤5×1016 ≤5×1016
尺寸 10×10mm、15×15mm、Dia50.8mm、Dia76.2mm、Dia100mm
可按照客戶需求,定制特殊方向和尺寸的基片
厚度 0.3-0.5mm、1.0mm
尺寸公差 <±0.1mm
厚度公差 <±0.015mm特殊要求可達到<±0.005mm)
拋光 單面或雙面
晶面定向精度 ±0.5°
邊緣定向精度 2°(特殊要求可達到1°以內(nèi))
取向 <100>、<110>、<111>等
包裝 100級潔凈袋,1000級超凈室
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