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半導(dǎo)體薄膜基片

砷化鎵（GaAs）基片

產(chǎn)品簡述：

GaAs材料具有很高的電子遷移率、寬禁帶、直接帶隙，消耗功率低的特性，廣泛應(yīng)用與高頻及無線通訊，適合于制作IC器件，主要應(yīng)用于光電子領(lǐng)域和微電子領(lǐng)域。

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產(chǎn)品詳細(xì)
 　　GaAs材料具有很高的電子遷移率、寬禁帶、直接帶隙，消耗功率低的特性，廣泛應(yīng)用與高頻及無線通訊，適合于制作IC器件，主要應(yīng)用于光電子領(lǐng)域和微電子領(lǐng)域。
材料 砷化鎵（GaAs）
結(jié)構(gòu) 立方
晶向 <100>
熔點(diǎn)oC 1238
密度g/cm3
5.31
禁帶寬度
1.424

單晶 摻雜

導(dǎo)電類型

 載流子濃度cm-3 位錯(cuò)密度cm-2 生長方法 標(biāo)準(zhǔn)基片（mm）
GaAs Si

undoped

N

 >5×1017 <5×105 VGF

 

VB

 Dia2″×0.35mm

 

Dia3"x0.35mm

Dia100×0.65mm

晶向

(100) 0°±0.5°,<111>

(100) 2°±0.5°off toward <111>A

(100)15°±0.5°off toward <111>A

尺寸（mm）

25×25×0.35mm、10×10×0.35mm、10×5×0.35mm、5×5×0.35mm

可按照客戶需求，定制特殊方向和尺寸的襯底

表面粗糙度

Surface roughness(Ra):<=5A
可提供原子粒顯微鏡（AFM）檢測報(bào)告

拋光

單面或雙面

包裝

100級潔凈袋，1000級超凈室
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