以 InAs 單晶為襯底可以生長 InAsSb/In－AsPSb,InNAsSb等異質(zhì)結(jié)材料,制作波長 2～14μm的紅外發(fā)光器件，用 InAs單晶襯底還可以外延生長AlGaSb超晶格結(jié)構(gòu)材料 ,制作中紅外量子級聯(lián)激光器。.這些紅外器件在氣體監(jiān)測、低損耗光纖通信等領(lǐng)域有良好的應(yīng)用前景.此外, InAs 單晶具有很高的電子遷移率 ,是一種制作 Hall 器件的理想材料。作為單晶襯底 , InAs 材料需要具備低的位錯密度、 良好的晶格完整性、 合適的電學參數(shù)和較高的均勻性. InP單晶材料的主要生長方法是傳統(tǒng)液封直拉技術(shù)（LEC）。
|
晶體
|
結(jié)構(gòu)
|
晶向
|
熔點
oC
|
密度
g/cm3
|
禁帶寬度
|
|
InAs
|
立方,
a=6.058 A
|
<100>
|
942
|
5.66
|
0.45
|
|
單晶
|
摻雜
|
導電類型
|
載流子濃度
cm-3
|
遷移率(cm2/V.s)
|
位錯密度(cm-2)
|
標準基片
|
|
|
InAs
|
本征
|
N
|
5*1016
|
2*104
|
<5*104
|
Φ2″×0.5mm
Φ3″×0.5mm
|
|
|
InAs
|
Sn
|
N
|
(5-20)*1017
|
>2000
|
<5*104
|
Φ2″×0.5mm
Φ3″×0.5mm
|
|
|
InAs
|
Zn
|
P
|
(1-20) *1017
|
100-300
|
<5*104
|
Φ2″×0.5mm
Φ3″×0.5mm
|
|
|
InAs
|
S
|
N
|
(1-10)*1017
|
>2000
|
<5*104
|
Φ2″×0.5mm
Φ3″×0.5mm
|
|
|
尺寸（mm）
|
Dia50.8x0.5mm,10×10×0.5mm、10×5×0.5mm可按照客戶需求，定制特殊方向和尺寸的襯底
|
||||||
|
表面粗糙度
|
Surface roughness(Ra):<=5A
可提供原子粒顯微鏡（AFM）檢測報告 |
||||||
|
拋光
|
單面或雙面
|
||||||
|
包裝
|
100級潔凈袋，1000級超凈室
|
||||||
點擊QQ咨詢