国产精品一级AV毛片_精品日韩一区二区三区A∨_另类视频在线观看_影音先锋在线无码资源_精品无码人妻喷水一区_图片小说亚洲中文字幕_视频这里只有精品免费_人妻夫の上司犯感との中文字幕_亚洲黄色网站网址_亚洲AV无日韩毛片久久

?
?
半導體薄膜基片

銻化鎵(GaSb)基片

產品簡述:

GaSb單晶由于其晶格常數(shù)與帶系在 0.8~4.3um寬光譜范圍內的各種三元和四元,III-V族化合物固熔體的晶格常數(shù)匹配,因為GaSb可以作為襯底材料用作制備適合某些紅外光纖傳輸?shù)募す馄骱吞綔y器,GaSb也被預見具有晶格限制遷移率大于GaAs,使得它在制作微波器件方面具有潛在的應用前景。GaS單晶材料的主要生長方法,包括傳統(tǒng)液封直拉技術(LEC)、改進的LEC技術、移動加熱法/垂直梯度凝固技術(VGF)/垂直布里奇曼技術(VBG)等。

13365870915(微信同號)
產品詳細
  GaSb單晶由于其晶格常數(shù)與帶系在 0.8~4.3um寬光譜范圍內的各種三元和四元,III-V族化合物固熔體的晶格常數(shù)匹配,因為GaSb可以作為襯底材料用作制備適合某些紅外光纖傳輸?shù)募す馄骱吞綔y器,GaSb也被預見具有晶格限制遷移率大于GaAs,使得它在制作微波器件方面具有潛在的應用前景。GaS單晶材料的主要生長方法,包括傳統(tǒng)液封直拉技術(LEC)、改進的LEC技術、移動加熱法/垂直梯度凝固技術(VGF/垂直布里奇曼技術(VBG)等。
晶體
GaSb
結構
立方
a=6.094A
晶向
<100>
熔點 712oC
密度
5.53g/cm3
禁帶寬度
0.67

單晶
摻雜
導電類型
載流子濃度
cm-3
遷移率(cm2/V.s)
位錯密度(cm-2)
標準基片
GaSb
本征
   P
(1-2)*1017
600-700
《1*104
Φ2″×0.5mm
Φ3″×0.5mm
GaSb
Zn
  P
(5-100)*1017
200-500
《1*104
 
Φ2″×0.5mm
Φ3″×0.5mm
GaSb
Te
  N
(1-20)´1017
2000-3500
《1*104
Φ2″×0.5mm
Φ3″×0.5mm
尺寸(mm)
Dia50.8x0.5mm,10×10×0.5mm、10×5×0.5mm可按照客戶需求,定制特殊方向和尺寸的襯底
表面粗糙度
Surface roughness(Ra):<=5A
可提供原子粒顯微鏡(AFM)檢測報告
拋光
單面或雙面
包裝
100級潔凈袋,1000級超凈室
分享到:
相關產品
?
關閉
13365870915 工作時間:9:00-18:00

掃二維碼微信溝通
百度商橋咨詢
關閉客服