生長方法
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籽晶升華法 ,PVT(物理氣相傳輸)
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晶體結(jié)構(gòu)
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六方
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晶格常數(shù)
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a=3.08 Å c=15.08 Å
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密度
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3.21 g/cm3
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方向
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生長軸或 偏<0001> 3.5 º
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帶隙
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3.26 eV (間接)
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硬度
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9.2(mohs)
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熱傳導(dǎo)@300K
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5 W/ cm.k
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介電常數(shù)
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e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33
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尺寸
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10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20, Dia2",Di3",Dia4"
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厚度
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0.35mm,
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拋光
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單面或雙面
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晶向
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<0001>±0.5º
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晶面定向精度:
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±0.5°
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邊緣定向精度:
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2°(特殊要求可達(dá)1°以內(nèi))
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斜切晶片
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可按特定需求,加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜(傾斜角1°-45°)的晶片
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Ra:
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≤5Å(5µm×5µm)
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包裝
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100級潔凈袋,1000級超凈室
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