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GaN 薄膜基片

碳化硅(SiC)單晶基片

產(chǎn)品簡述:

碳化硅(SiC)單晶具有許多優(yōu)良的性質(zhì),熱導(dǎo)率高、飽和電子遷移率高、抗電壓擊穿能力強(qiáng)等,適合于制備高頻率、高功率、耐高溫以及耐輻照的電子器件。

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產(chǎn)品詳細(xì)
  碳化硅(SiC)單晶具有許多優(yōu)良的性質(zhì),熱導(dǎo)率高、飽和電子遷移率高、抗電壓擊穿能力強(qiáng)等,適合于制備高頻率、高功率、耐高溫以及耐輻照的電子器件。

碳化硅(SiC)單晶基片主要性能參數(shù)

生長方法
籽晶升華法 ,PVT(物理氣相傳輸)
晶體結(jié)構(gòu)
六方
晶格常數(shù)
a=3.08 Å     c=15.08 Å 
密度
3.21 g/cm3
方向
生長軸或 偏<0001> 3.5 º
帶隙
3.26 eV (間接)
硬度
9.2(mohs)
熱傳導(dǎo)@300K
5 W/ cm.k
介電常數(shù)
e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33
尺寸
10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20, Dia2",Di3",Dia4"
厚度
0.35mm,
拋光
單面或雙面
晶向
<0001>±0.5º
晶面定向精度:
±0.5°
邊緣定向精度:
2°(特殊要求可達(dá)1°以內(nèi))
斜切晶片
可按特定需求,加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜(傾斜角1°-45°)的晶片
Ra:
≤5Å(5µm×5µm)
包裝
100級潔凈袋,1000級超凈室
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