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GaN 薄膜基片

鋁酸鎂鈧(ScMgAlO4)晶體基片

產(chǎn)品簡述:

ScAlMgO4晶體是最近發(fā)展起來的一種GaN和ZnO異質(zhì)外延用理想的襯底材料,是目前與GaN和ZnO晶格失配最小的新型襯底材料。ScAlMgO4晶體屬于六方晶系,晶格常數(shù)a=0.3246nm,c=2.5195nm,具有菱形六面體層狀結(jié)構(gòu),與纖鋅礦氮化物和氧化鋅的結(jié)構(gòu)相似。

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產(chǎn)品詳細
  ScAlMgO4晶體是最近發(fā)展起來的一種GaN和ZnO異質(zhì)外延用理想的襯底材料,是目前與GaN和ZnO晶格失配最小的新型襯底材料。ScAlMgO4晶體屬于六方晶系,晶格常數(shù)a=0.3246nm,c=2.5195nm,具有菱形六面體層狀結(jié)構(gòu),與纖鋅礦氮化物和氧化鋅的結(jié)構(gòu)相似。
  ScAlMgO4是一種與GaN和ZnO 晶格常數(shù)和結(jié)構(gòu)非常匹配的襯底材料(表1)。它與GaN的晶格失配率約為1.8%,與ZnO的晶格失配率僅為0.09%,a軸的熱膨脹系數(shù)為6.2×10-6/℃,c軸的熱膨脹系數(shù)為12.2×10-6/℃,與GaN、ZnO外延薄膜之間的熱膨脹系數(shù)失配比傳統(tǒng)的藍寶石和硅等襯底好的多。
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