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GaN 薄膜基片

鋁酸鋰(LiAlO2)單晶基片

產(chǎn)品簡(jiǎn)述:

鋁酸鋰單晶與氮化鎵的晶格失配率非常?。ㄤX酸鋰為1.4%)而成為氮化鎵薄膜的優(yōu)質(zhì)基片。

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產(chǎn)品詳細(xì)
  鋁酸鋰單晶與氮化鎵的晶格失配率非常?。ㄤX酸鋰為1.4%)而成為氮化鎵薄膜的優(yōu)質(zhì)基片。

鋁酸鋰(LiAlO2)單晶基片主要性能參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu)
四方
晶格常數(shù)
a=5.17 A    c=6.26 A
熔點(diǎn)(℃)
1900
密度
2.62(g/cm3)
硬度
7.5(mohs)
與GaN失配率<001>
1.4%
尺寸
10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20,Ф15,Ф20,Ф1″,Ф2″,Ф2.6″
厚度
0.5mm,1.0mm
拋光
單面或雙面
晶向
<100>  <001>
晶面定向精度:
±0.5°
邊緣定向精度:
2°(特殊要求可達(dá)1°以內(nèi))
斜切晶片
可按特定需求,加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜(傾斜角1°-45°)的晶片
Ra:
≤5Å(5µm×5µm)
包裝
100級(jí)潔凈袋,1000級(jí)超凈室
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