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GaN 薄膜基片

氮化鎵(GaN)基片

產(chǎn)品簡述:

氮化鎵(GaN)具有寬的直接帶隙,強(qiáng)的原子鍵,高的熱導(dǎo)率等性質(zhì)和強(qiáng)的抗輻照能力,不僅是短波長光電子材料,也是高溫半導(dǎo)體器件的換代材料,GaN體系可以用來制備藍(lán)、綠光LED,藍(lán)紫、紫外光LD、紫外探測器以及高頻大功率電子器件。

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產(chǎn)品詳細(xì)
  氮化鎵(GaN)具有寬的直接帶隙,強(qiáng)的原子鍵,高的熱導(dǎo)率等性質(zhì)和強(qiáng)的抗輻照能力,不僅是短波長光電子材料,也是高溫半導(dǎo)體器件的換代材料,GaN體系可以用來制備藍(lán)、綠光LED,藍(lán)紫、紫外光LD、紫外探測器以及高頻大功率電子器件。
產(chǎn)品型號Item
GaN-FS-10
GaN-FS-15
尺寸Dimensions
10.0mm×10.5mm
14.0mm×15.0mm
孔洞密度Marco Defect Density
A Level
0 cm-2
B Level
≤ 2 cm-2
厚度Thickness
Rank 300
300 ± 25 µm
Rank 350
350 ± 25 µm
Rank 400
400 ± 25 µm
晶體取向Orientation
C-axis(0001) ± 0.5°
TTV(Total Thickness Variation)
≤15 µm
彎曲度BOW
≤20 µm
導(dǎo)電類型Conduction Type
N-type
Semi-Insulating
電阻率Resistivity(300K)
< 0.5 Ω·cm
>106 Ω·cm
位錯密度Dislocation Density
Less than 5x106 cm-2
有效面積Useable Surface Area
> 90%
拋光Polishing
Front Surface: Ra < 0.2nm. Epi-ready polished
Back Surface: Fine ground
包裝Package
Packaged in a class 100 clean room environment, in single wafer containers, under a nitrogen atmosphere.
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