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高溫超導(dǎo)薄膜基片

摻釔氧化鋯(YSZ)單晶基片

產(chǎn)品簡(jiǎn)述:

摻釔氧化鋯(YSZ)單晶基片,氧化鋯單晶是ZrO2中摻入釔(Y)以穩(wěn)定其結(jié)構(gòu),是最早應(yīng)用于高溫超導(dǎo)薄膜的材料之一。一般使用的氧化鋯需要摻入釔作為穩(wěn)定劑,常見濃度有13 mol%,YSZ具有機(jī)械和化學(xué)穩(wěn)定性好、成本低的特點(diǎn)。由于氧化鋯材料具有高硬度,高強(qiáng)度,高韌性,極高的耐磨性及耐化學(xué)腐蝕性等等優(yōu)良的物化性能,氧化鋯已經(jīng)在陶瓷、耐火材料、機(jī)械、電子、光學(xué)、航空航天、生物、化學(xué)等等各種領(lǐng)域獲得廣泛的應(yīng)用。

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產(chǎn)品詳細(xì)
  摻釔氧化鋯(YSZ)單晶基片,氧化鋯單晶是ZrO2中摻入釔(Y)以穩(wěn)定其結(jié)構(gòu),是最早應(yīng)用于高溫超導(dǎo)薄膜的材料之一。一般使用的氧化鋯需要摻入釔作為穩(wěn)定劑,常見濃度有13 mol%,YSZ具有機(jī)械和化學(xué)穩(wěn)定性好、成本低的特點(diǎn)。由于氧化鋯材料具有高硬度,高強(qiáng)度,高韌性,極高的耐磨性及耐化學(xué)腐蝕性等等優(yōu)良的物化性能,氧化鋯已經(jīng)在陶瓷、耐火材料、機(jī)械、電子、光學(xué)、航空航天、生物、化學(xué)等等各種領(lǐng)域獲得廣泛的應(yīng)用。

摻釔氧化鋯(YSZ)單晶基片主要性能參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu)
立方
晶格常數(shù)
a=5.147 Å 
熔點(diǎn)(℃)
2700
密度(g/cm3)
6.0
硬度
8-8.5(mohs)
純度
99.99%
熱膨脹系數(shù)(/℃)
10.3×10-6
介電常數(shù)
ε=27
生長(zhǎng)方法
弧熔法
尺寸
10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20,
dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm
厚度
0.5mm,1.0mm
拋光
單面或雙面
晶向
<001>±0.5º
晶面定向精度:
±0.5°
邊緣定向精度:
2°(特殊要求可達(dá)1°以內(nèi))
斜切晶片
可按特定需求,加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜(傾斜角1°-45°)的晶片
Ra:
≤5Å(5µm×5µm)
包裝
100級(jí)潔凈袋,1000級(jí)超凈室
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