晶系
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四方
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生長方法
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提拉法
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晶格常數(shù)
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a=3.756Å c=12.63 Å
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熔點(℃)
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1650
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密度
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5.92(g/cm3)
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硬度
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6-6.5(mohs)
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介電常數(shù)ε
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~ 22
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尺寸
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10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20,
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Ф15,Ф20,Ф1″,Ф2″
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厚度
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0.5mm,1.0mm
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拋光
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單面或雙面
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晶向
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<001>
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晶面定向精度:
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±0.5°
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邊緣定向精度:
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2°(特殊要求可達1°以內(nèi))
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斜切晶片
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可按特定需求,加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜(傾斜角1°-45°)的晶片
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Ra:
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≤5Å(5µm×5µm)
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包裝
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100級潔凈袋,1000級超凈室
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