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高溫超導(dǎo)薄膜基片

鎵酸釹(NdGaO3)晶體基片

產(chǎn)品簡述:

鎵酸釹(NdGaO3)晶體基片是近十年中發(fā)展起來的新型基片,主要用作高溫超導(dǎo)體(如YBCO)及磁性材料的外延薄膜生長用基片。由于NdGaO3與YBCO的晶格失配很?。▇0.27%),且無結(jié)構(gòu)相變,在NdGaO3基片上可外延生長質(zhì)量良好的薄膜。

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產(chǎn)品詳細(xì)
  鎵酸釹(NdGaO3)晶體基片是近十年中發(fā)展起來的新型基片,主要用作高溫超導(dǎo)體(如YBCO)及磁性材料的外延薄膜生長用基片。由于NdGaO3與YBCO的晶格失配很?。▇0.27%),且無結(jié)構(gòu)相變,在NdGaO3基片上可外延生長質(zhì)量良好的薄膜。

鎵酸釹(NdGaO3)晶體基片主要性能參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu)
正交
晶胞參數(shù)Å
a=5.43、b=5.50、c=7.71
熔點(diǎn)
1600℃
密度
7.57g/cm3
介電常數(shù)
25
生長方法
提拉法
尺寸
10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20, Ф15,Ф20,Ф1″,Ф2″,Ф2.6″
厚度
0.5mm,1.0mm
拋光
單面或雙面
晶向
<100>  <110>  <111>
晶面定向精度:
±0.5°
邊緣定向精度:
2°(特殊要求可達(dá)1°以內(nèi))
斜切晶片
可按特定需求,加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜(傾斜角1°-45°)的晶片
Ra:
≤5Å(5µm×5µm)
包裝
100級潔凈袋,1000級超凈室
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