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陶瓷基片

氮化鋁(AlN)陶瓷基片

產(chǎn)品簡(jiǎn)述:

氮化鋁具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性(為氧化鋁陶瓷的 5-10倍),較低的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗,可靠的絕緣性能,優(yōu)良的力學(xué)性能,無毒,耐高溫,耐化學(xué)腐蝕,且與硅的熱膨脹系數(shù)相近,廣泛應(yīng)用于通訊器件、 高亮度LED、電力電子器件等行業(yè),是理想的大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料。我司可按客戶要求生產(chǎn)各種規(guī)格尺寸形狀的產(chǎn)品。

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產(chǎn)品詳細(xì)
  氮化鋁具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性(為氧化鋁陶瓷的 5-10倍),較低的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗,可靠的絕緣性能,優(yōu)良的力學(xué)性能,無毒,耐高溫,耐化學(xué)腐蝕,且與硅的熱膨脹系數(shù)相近,廣泛應(yīng)用于通訊器件、 高亮度LED、電力電子器件等行業(yè),是理想的大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料。我司可按客戶要求生產(chǎn)各種規(guī)格尺寸形狀的產(chǎn)品。
  氮化鋁(AlN)陶瓷基片是新一代高性能陶瓷基片,具有很高的熱導(dǎo)率(理論值為319W/m.K,商品化的AlN基片熱導(dǎo)率大于140W/m.k)、較低的介電常數(shù)(8.8)和介電損耗(~4×104)、以及和硅相配比的熱膨脹系數(shù)(4.4×10-4/℃)等優(yōu)點(diǎn),化學(xué)組成 AI 65.81%,N 34.19%,比重3.261g/cm3,白色或灰白色,單晶無色透明,常壓下的升華分解溫度為2450℃。
  氮化鋁陶瓷基片,熱導(dǎo)率高,電性能好、熱膨脹系數(shù)與Si片接近,強(qiáng)度高,耐高溫,耐化學(xué)腐蝕,電阻率高,介電損耗小,無毒性,是取代BeO陶瓷的理想材料,是理想的大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料。
  主要應(yīng)用于:高密度混合電路、微波功率器件、電力電子器件、光電子部件、半導(dǎo)體致冷等產(chǎn)品中做高性能基片材料和封裝材料,廣泛應(yīng)用于通訊器件、 高亮度LED、電力電子器件等行業(yè)。特點(diǎn):熱導(dǎo)率高、電性能好、熱膨脹系數(shù)與Si片接近、無毒性,是取代BeO陶瓷的理想材料。

產(chǎn)品特點(diǎn)
  • 高導(dǎo)熱性
  • 熱膨脹系數(shù)跟Si接近
  • 優(yōu)良的絕緣性能
  • 較低介電常數(shù)和介質(zhì)損耗

AlN(氮化鋁)陶瓷基片主要性能指標(biāo)

體積密度 (g/cm3)
3.335
抗熱震性
無裂紋、炸裂
熱導(dǎo)率 (30℃, W/m.k)
≥170
膨脹系數(shù) (/℃, 5℃/min, 20-300℃)
2.805×10-6
抗折強(qiáng)度 (MPa)
382.7
體積電阻率(Ω.cm)
1.4×1014
介電常數(shù)(1MHz)
8.56
化學(xué)穩(wěn)定性 (mg/cm2)
0.97
擊穿強(qiáng)度 (KV/mm)
18.45
表面粗糙度(μm)
0.3~0.5
翹曲度(length‰)
≤2‰
外觀/顏色
致密、細(xì)晶/ 暗灰色
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