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長沙市啟睿新材料有限公司
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氮化鎵(GaN)具有寬的直接帶隙,強(qiáng)的原子鍵,高的熱導(dǎo)率等性質(zhì)和強(qiáng)的抗輻照能力,不僅是短波長光電子材料,也是高溫半導(dǎo)體器件的換代材料...
ScAlMgO4晶體是最近發(fā)展起來的一種GaN和ZnO異質(zhì)外延用理想的襯底材料,是目前與GaN和ZnO晶格失配最小的新型襯底材料。S...
鋁酸鋰單晶與氮化鎵的晶格失配率非常?。ㄤX酸鋰為1.4%)而成為氮化鎵薄膜的優(yōu)質(zhì)基片。...
碳化硅(SiC)單晶具有許多優(yōu)良的性質(zhì),熱導(dǎo)率高、飽和電子遷移率高、抗電壓擊穿能力強(qiáng)等,適合于制備高頻率、高功率、耐高溫以及耐輻照的...
氧化鋅(ZnO)單晶基片是很好的GaN薄膜襯底材料,具有60mev的激子束縛能以及室溫下3.73ev帶寬使之成為紫外以及可見光發(fā)光材...
MgAl6O10單晶是最近發(fā)現(xiàn)的一種GaN和ZnO外延生長用新型襯底材料。MgAl6O10單晶屬于立方晶系,空間群為Fd-3m (...
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